主题：Stress Relaxation and Creep in Nanostructured Copper: Experiments and Simulations
时间: 2016年4月5日(星期二)上午10:00-11:30
地点: 玉泉校区教5-333
报告人: 张统一院士
报告人简介
张统一院士，上海大学材料基因组工程研究院院长、上海市材料基因组工程研究院院长、香港科技大学讲座教授，材料科学、工程科学和固体力学专家。1985年获北京科技大学材料物理专业博士学位并留校任教，1986-1988年以洪堡学者身份在德国哥廷根大学任研究员， 1988-1990年在美国罗彻斯特大学进行博士后研究，1990-1993年在美国耶鲁大学任副研究员，1993年应邀至香港科技大学机械工程系任教。2011年当选为中国科学院院士。
张院士致力于材料力学性质的研究。预测并证实了钢铁扭转和剪切载荷下的氢脆现象。澄清了电绝缘裂纹面上电边界条件，发展了压电线性和非线性断裂力学；实验证明导电裂纹的电断裂韧性为材料常数，构筑了电致断裂的理论框架。发展了微观/纳观力学：建立了微/纳桥测试理论和方法及薄膜/基体系统中产生位错、微/纳孪晶和裂纹的临界厚度理论；给出了应力腐蚀中裂纹、腐蚀膜和位错交互作用的理论解。曾获国家自然科学二等奖二次、香港裘槎高级研究学者奖、美国ASM International Fellow奖和中国科学技术协会青年科技奖。
报告摘要
In the present work, stress relaxation and creep tests, high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) and molecular dynamics (MD) simulations were conducted on coarse-grained (cg), nanograined (ng) and nanotwinned (nt) copper at temperatures ranging from room temperature to 75 °C. The comprehensive investigations provide sufficient information for the building-up of a formula that describes the time, stress, and temperature-dependent deformation and clarify the relationship among the strain rate sensitivity parameter, stress exponent and activation volume. The experimental and simulation results also suggest that under high stress level, dislocation-mediated plastic deformation is predominant in all cg, ng and nt specimens. Under low stress level, the grain boundary (GB) diffusion-associated deformation is dominant in the ng and cg specimens, whereas twin boundary (TB) migration, i.e., twinning and detwinning with parallel partial dislocations, governs the time, stress and temperature-dependent deformation in the nt specimens.
